半绝缘GaAs光导开关中EL2深能级研究

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【摘要】

：

半导体光导开关(Photoconductive Semiconductor Switches简称PCSSs)是利用超快脉冲激光器与光电导体(如GaAs,InP等)相结合形成的一类新型器件。光导开关具有优良的电器特性,如上升时间短(几十皮秒量级)、响应速度快、光电隔离好、抗干扰能力强、动态范围宽等特点。在超高速电子学、超宽带雷达、超宽带通讯和瞬态电磁波技术等领域有着广泛的应用前景。本文主要研究了半绝

【作者】

：

高绍兵

【机构】

：

西安理工大学

【发表日期】

：

2008年03期

【关键词】

：

GaAs光电导开关 EL2能级热处理本征缺陷光淬灭

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