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FeCoSiB薄膜具有优良的磁弹性能及应力阻抗效应(SI),利用SI效应可制备应力传感器,而将FeCoSiB薄膜沉积在柔性基底制备的传感器可以广泛应用于异形表面等特殊形状物体的应力监测与控制。本文针对FeCoSiB薄膜材料的应力阻抗效应,理论上从微磁学出发,建立FeCoSiB/金属/FeCoSiB三层膜的微磁学模型,通过联立求解LLG方程和Maxwell方程,推导出应力作用下FeCoSiB薄膜有效磁导率,得到FeCoSiB/金属/FeCoSiB的应力阻抗效应。利用该模型研究了磁性层和导电层厚度、导电