【摘 要】
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该文由VCSEL谐振腔中的自发发射出发,从理论上分析了VCSEL低阈值基横模工作对器件结构的要求.据此提出采用Pd/Sb(Mn?欧姆接触薄膜制作VCSEL器件P区反射器的设想,进而实验研究
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该文由VCSEL谐振腔中的自发发射出发,从理论上分析了VCSEL低阈值基横模工作对器件结构的要求.据此提出采用Pd/Sb(Mn?欧姆接触薄膜制作VCSEL器件P区反射器的设想,进而实验研究了以固相反应重生长法在P型GaAs衬底上制备的Pd/Sb(Mn)非合金欧姆接触薄膜的光学性质,并讨论了膜厚.材料组份,退火条件等因素对薄膜反射谱和透射谱的影响.发现该薄膜在近红外区存在一个反射峰.在此基础上,通过与Pd/Ge非合金膜光学性质的对比,讨论了以该薄膜制作VCSEL器件P区反射器的可能性.这为进一步改进VCSEL器件结构,提高器件性能提供了一种新的选择.文章最后,对AlAs选择性氧化制作有源区内部电流及光场限制这一目前广泛使用并极大改善器件性能的工艺作了初步实践分析,为该组今后将此项技术应用于实际器件作了相应的准备工作.
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