【摘 要】
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研究辐射粒子在微米和纳米级靶体内的能量沉积分布规律是深入探索辐射损伤效应产生机制的关键因素之一。由此微剂量学广泛应用于辐射防护、放射生物学和微电子学辐射效应等研
【出 处】
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中国科学院研究生院 中国科学院大学
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研究辐射粒子在微米和纳米级靶体内的能量沉积分布规律是深入探索辐射损伤效应产生机制的关键因素之一。由此微剂量学广泛应用于辐射防护、放射生物学和微电子学辐射效应等研究领域。开展先进的微剂量探测器的设计与微剂量探测方法的研究将为辐射疗癌、辐射防护和空间辐射(如航天员的辐射防护、微电子学和纳米电子学的单粒子效应)等领域的辐射效应机制探索提供重要的技术基础。
半导体探测器以其体积小、重量轻、几何结构紧凑、低压设备轻巧、能量分辨率高等特点,有望取代传统微剂量仪——组织等效正比计数器(TEPC)。本论文初步探索了Si基半导体探测器在微剂量领域的应用,限制半导体探测器在微剂量领域广泛应用的主要问题是探测器灵敏体积的界定和电荷收集机制的复杂性。特别是对于高LET的辐射粒子,埋沟(buriedwells)设计并不能完全有效的阻止耗尽区外电荷的收集;加之载流子的扩散效应和辐射粒子电离产生的漏斗效应,使微剂量探测器灵敏体积很难准确确定。SOI结构的探测器由于绝缘埋层的存在,使得探测器的灵敏体积的界定和电荷收集被限定在顶层硅中,从而消除了载流子的扩散效应和辐射粒子电离产生的漏斗效应,克服了探测器灵敏体积难以确定的问题。本论文工作对Si基SOI结构微剂量探测器进行了初步的探索研制,设计7种型号版图结构并定制工艺流程,在2.SumCMOS工艺线上进行流片,完成了器件的电学测试表征。器件测试结果表明探测器的性能除了与器件制备工艺有关外还与SOI材料的质量密切相关,为下一步研制国产Si基SOI微剂量探测器提供了参考。
为了抑制SOI材料的绝缘埋层受总剂量的影响,本文通过离子注入技术将Si离子引入绝缘埋层,并通过高温退火在绝缘埋层中形成纳米硅晶从而减小了绝缘埋层受辐射后所产生的电荷对器件性能的影响。通过MOS器件的辐射效应及PL、TEM等实验证明了绝缘埋层中纳米硅在SOI材料抗辐射改性的作用。
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