论文部分内容阅读
ZnO是一种多功能宽带隙(3.37 eV)半导体,具有纤锌矿晶体结构,室温下具有较高的激子束缚能(60 meV),能够实现的受激发射。ZnO具有许多特殊的性质,具有较高的电子迁移率、良好的压电性和荧光性,被广泛应用于发光二级管、场效应晶体管、气敏传感器、太阳能电池和光催化等领域。目前人们将纳米加工与随后的生长技术相结合制备具有特殊功能的一维有序纳米阵列成为当前纳米科技领域的研究热点。主要集中在实现一维有序ZnO纳米结构的低成本、大面积制备并对其生长位置、尺寸、方向和均一性进行有效调控。本论文采用自组