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SOI(Silicon-on-Insulator)材料,即绝缘体上的硅材料,被国际上公认为“二十一世纪硅集成电路技术”的基础。它能突破体硅材料的诸多限制,在航天领域、光电子领域,以及微机械系统等多方面有广阔的应用前景。本论文针对SOI 自加热效应以及满足不同需要SOI 材料新结构的制备和性能表征进行研究。本论文的主要研究工作和所取得的创新性研究结果集中在如下三个方面:第一,利用智能剥离(Smart-Cut)技术制备以氮化铝(AlN)为绝缘埋层SOI 新结构;第二,成功采用亲水熔融