【摘 要】
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该文重点研究了纳米级栅线务(或者沟道区)和超浅PN结制作这两个当前超短沟器件研制中最困难的领域.侧墙图形转移是目前最成功的制作超细栅线务(超细沟道)的技术,对设备要求比
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该文重点研究了纳米级栅线务(或者沟道区)和超浅PN结制作这两个当前超短沟器件研制中最困难的领域.侧墙图形转移是目前最成功的制作超细栅线务(超细沟道)的技术,对设备要求比较低,潜力巨大.该文重点研究了单侧墙图形转移实现纳米级平面多晶硅栅线条和基于倒置侧墙图转移实现纳米级沟长的技术.固相扩散是超深亚微米器件研制过程中用来实现超浅结比较多的一种的方法,可以实现比较高的表面杂质深度,以及很高的杂质激活率,多晶硅是比较理想的固相扩散源,该文首次利用重掺杂多晶硅固相扩散一次性地实现了PN和NP结,从而成功地实现了CMOS源漏扩展区超浅结.采用凹陷沟道以变相降低源漏扩展区冶金结的巨大困难.该文提出了利用自对准凹陷沟道以变相降低源漏扩展区超浅结的新概念,和利用重掺杂多晶硅侧墙充当源漏扩展区的栅极以实现源漏感应区的新方法.
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