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银图案作为实现电气互连的重要组件,被广泛应用在印刷线路板(PCB)、无线射频智能电子标签及模塑互联器件等领域。湿法制备银图案以其制备条件温和,不需要烧结而具有明显应用优势。本文旨在寻求新型湿法制备方法,通过该方法并结合加成法印制技术,实现在柔性线路板用聚酰亚胺薄膜表面制备高清晰度高导电性且结合力良好的银图案,同时要求该方法对基体的破坏程度小,为实现加成法制造印刷线路板打下基础。基于湿法制备法中银图案在溶液中生长的原则下提出了三种方法:修饰液印制法、高锰酸钾氧化修饰-离子交换-还原(OIR)法和离子交换镀(IEP)法,其中修饰液印制法包括两类:聚多巴胺-银催化墨水修饰-化学镀铜-置换镀银(PDED)法和强碱涂料修饰-离子交换-还原(AIR)法,系统研究了这几种方法制备银图案的原理、性能和过程。PDED法中合成了一种新型修饰液-可催化化学镀铜的聚多巴胺-银墨水,此墨水中聚多巴胺-银颗粒粒径呈现双峰分布,利用PDED法并借助喷墨印刷技术成功在聚酰亚胺薄膜表面制备了结合力良好的铜图案,并可作为镀银的底层。为了提高银图案层的结合力,制备了另一种修饰液-强碱涂料,提出强碱涂料修饰-离子交换-还原(AIR)法并结合掩膜技术来制备银图案。AIR法在聚酰亚胺薄膜表面构建了有机离子交换功能层-羧酸钾层。通过扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)、衰减全反射傅里叶红外光谱(ATR-FTIR)等测试手段研究了银图案制备过程中的薄膜性质。SEM测试和EDS面扫描测试分别表征了银颗粒的形貌和聚集状态,ATR-FTIR测试表明聚酰亚胺薄膜在碱修饰后,表面的酰胺键发生碱水解生成羧基钾功能层。同时研究了强碱修饰时间,离子交换时间和还原时间对银图案性能的影响。利用AIR法实现了双面圆形图案的制备,银图案层厚度为0.51μm,方块电阻为147.09Ω/sq,电阻率为7.5μΩ?cm,最细线宽达到258.35μm,银图案的导电性和结合力俱佳,但清晰度不高。为进一步提高银图案的清晰度,通过高锰酸钾氧化修饰-离子交换-还原(OIR)法在聚酰亚胺薄膜表面构建了无机离子交换功能层-锰氧化物层。通过SEM、ATR-FTIR、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)等测试手段研究了银图案制备过程中的薄膜性质。SEM形貌测试说明锰氧化物层为层状结构堆积,ATR-FTIR测试说明锰氧化物层表面含有羟基官能团,XRD分析显示锰氧化物层呈现非晶态特征,且在离子交换过程中锰氧化物层的结构是稳定的,XPS测试结果表明锰氧化物层可能是由Mn3O4或Mn OOH组成。通过对银图案的性能影响研究确定最佳制备条件:高锰酸钾质量分数为5 mass%,氧化修饰时间为3 h,离子交换时间为15 min,还原时间为1.5 h。研究结果表明锰氧化物层可能为钾离子载入的水钠锰矿型层状锰氧化物,并提出了合理的OIR过程的修正模型,解释了钾离子的载入量不等于银离子交换量的现象。通过OIR法制备银图案层厚度大约为80 nm,方块电阻为261Ω/sq,电阻率为2090μΩ?cm,OIR方法制备的银图案结合力好、清晰度高,同时该方法对基体基本无破坏,但是由于锰氧化物层中银离子交换量不足导致银图案导电性不太好。为制备兼具高清晰度和高导电性的银图案,提出离子交换镀(IEP)法并结合掩膜技术来制备银图案。通过SEM,EDS,XPS,XRD,ATR-FTIR,原子力显微镜(AFM)等测试研究了IEP法制备银图案的性能及过程。研究发现甘油与水的质量比1:1,碱修饰时间1 min时得到清晰度较高的银图案。硝酸银,抗坏血酸,磷酸氢二钾的浓度对银层厚度影响不大。随着IEP重复次数n的增加,银图案层的厚度呈线性增长,IEP过程的镀速为0.01371微米/次,银图案层的方块电阻处于0.2~0.5Ω/sq,电阻率处于6~10μΩ?cm。此外提出了银图案层形成过程的可能模型,制备了可用于双面PCB互联板制造领域的导电的双面互联圆形银图案。通过与AIR法制备银图案的比较,发现IEP法制备的银图案层有着更小的厚度,厚度值仅为0.23μm,相比AIR法少了一半以上,同时有更高的清晰度和更小的电阻率(6.46μΩ?cm),而且该方法对基体破坏较小。通过与OIR法制备银图案相比,IEP法也有着更小的电阻率。总起来说,三种方法中IEP方法制备的银图案性能最佳。利用此方法可制备结合力好、高清晰度、高导电性的银图案,同时该方法对基体破坏较小。