【摘 要】
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有序纳米结构薄膜在传感器、磁存储、光电探测等领域中有重要的应用前景。本论文基于量子点(quantum dots,简称QDs)优越的发光性质,完成了CdSe纳米棒的制备和尺寸调节,并采用多种组装技术获得了CdSe纳米棒有序薄膜。论述了量子点薄膜的组装方法、实验参数对薄膜有序性及光学特性的影响,着重讨论了CdSe纳米棒取向排布薄膜的偏振选择特性及偏振发光特性,取得了一系列研究结果。主要包括:(1)利用
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有序纳米结构薄膜在传感器、磁存储、光电探测等领域中有重要的应用前景。本论文基于量子点（quantum dots,简称QDs）优越的发光性质,完成了CdSe纳米棒的制备和尺寸调节,并采用多种组装技术获得了CdSe纳米棒有序薄膜。论述了量子点薄膜的组装方法、实验参数对薄膜有序性及光学特性的影响,着重讨论了CdSe纳米棒取向排布薄膜的偏振选择特性及偏振发光特性,取得了一系列研究结果。主要包括:（1）利用高温油相热合成法制备了长径比可调、尺寸分布均匀、分散性好的CdSe纳米棒并获得了光学性质变化规律。结果表明:仅通过改变Cd2+前驱体反应时间即可实现纳米棒的长径比调节,发现0-31h内纳米棒长径比随着前驱体反应时间增加而增大。其中,前驱体反应时间为20h获得的CdSe纳米棒具有最佳的荧光稳定性。（2）分别利用LB（Langmuir-Blodgett）法、模板法及自组装法获得了CdSe纳米结构薄膜,对照研究了纳米棒的取向排布情况和光学特性。发现LB法制备的纳米棒薄膜取向性及偏振选择特性最佳。与点状CdSe量子点薄膜相比,取向排布的CdSe纳米棒薄膜的发光存在明显的各向异性。最优激发下,垂直和水平检偏荧光强度的“差和比”可高达60.5%。
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