【摘 要】
：
SrTiO系半导体瓷具有压敏电压低和电容量大的特性,是一种双功能新材料.该文研究了非气氛炉石墨还原气氛烧结SrTiO系双功能材料的组成和性能.采用A位、B位、AB位施主掺杂对SrT
论文部分内容阅读
SrTiO<,3>系半导体瓷具有压敏电压低和电容量大的特性,是一种双功能新材料.该文研究了非气氛炉石墨还原气氛烧结SrTiO<,3>系双功能材料的组成和性能.采用A位、B位、AB位施主掺杂对SrTiO<,3>双功能材料进行取代.实验证明在只有还原气氛或只有施主掺杂的情况下,样品的电阻率达到10<6>∽10<9>Ω·m,不能很好的半导化.在石墨还原气氛下,A位(La<,2>O<,3>=0.3mol﹪,Sm<,2>O<,3>=1.0mol﹪,Y<,2>O<,3>=0.6mol﹪)、B位(Nb<,2>O<,5>=0.6mol﹪)施主掺杂样品的电阻率存在最小值,并对应着最大的介电系数.随着A位、B位施主掺杂量的增加或减少,电阻率曲线呈U变化;介电系数曲线呈倒U形变化.由A、B位掺杂的性能可以看出,A位(La<,2>O<,3>)掺杂材料样品的最低电阻率比B位(Nb<,2>O<,5>)掺杂样品的最低电阻率低,但是介电系数却比B位掺杂小.而AB位掺杂的样品的电阻率和介电系数介于A位和B位掺杂的样品之间.由试样的XRD计算晶格参数,可以知道施主掺杂在SrTiO<,3>中固溶量.用复阻抗测试仪来测量样品的复阻抗特性,计算样品的晶粒电阻和晶界电阻.实验数据表明,施主掺杂量的增加到一定程度后,晶粒电阻的变化微弱,晶界电阻变化幅度大.晶界电阻的增大是过量的施主掺杂物聚集在晶界上引起的.A位、B位、AB位施主掺杂实验试样的晶粒电阻最小值作比较得到:R<,Bg>>R<,ABg>>R<,Ag>.由氧化样品的复阻抗图看出,氧化处理不会影响晶粒的电阻值,只会使晶界电阻发生变化.优选SrTiO<,3>系半导体瓷实验配方,用非气氛炉石墨还原气氛烧结的环形消噪器件(ΦD=10.9mm,Φd=6.5mm)的性能为:V<,10mA>=5.6±0.28V,α=3.00,C=114±5.7nF,符合实际应用的参数.
其他文献
阿魏酸酯酶(FAEs)(EC3.1.1.73)属于羧基酯酶的一个亚家族，它能够水解植物细胞壁中半纤维素中的羟基肉桂酸与阿拉伯木聚糖和某些胶质形成的酯键。阿魏酸酯酶是半纤维素完全降解
该文将橡胶、胶粉与作为公共网络的预聚体混合,通过硫化成功制备了顺丁橡胶/公共网络/胶粉共轭三组分IPN和丁苯橡胶/公共网络/胶粉共轭三组分IPN,并在选择不同的公共网络的基
研究AlO浓悬浮体的稳定分散机制及其流变性,同时也对壳聚糖凝胶注模体系进行了探讨.在偏碱性条件下,通过正交试验,对自制分散剂PAANH和PAM的应用条件进行分析,依据浓度及pH对
随着科技的快速发展，科学家们制造出大量合成药物用于对抗各种疾病。合成药物的广泛使用一方面使人类及经济动物的寿命及健康状况得到了改善，另一方面却使大量的药物、个人护理
N-甲基二乙醇胺(MDEA)水溶液(以下简称胺液)选择性脱硫的方法,由于其显著的节能效果,并具有腐蚀轻、胺液不易降解等一系列优点,在工业上广泛应用.齐鲁石化公司用MDEA处理含低
该文对纳米TiO/Ti金属陶瓷复合膜的制备及其性能进行了研究.该文以多孔金属钛管为支撑体,采用溶胶-凝胶法制备出性能稳定的TiO溶胶,利用自主开发的溶胶喷雾快速胶凝法在孔径
为了确保科学合理的完成建筑项目的施工,需要对建筑项目的造价全过程管理给予充分的重视,这一工作是建筑施工之中的一项重要任务,并且要在建设过程的各个阶段加以执行,施工项
该文提出了一种电化学除氧方法——利用复合三维电极去除水中的溶解氧.在该除氧方法中,采用复合三维电极填充的固定床作为电化学反应器的阴极,当富氧水流经过反应器的阴极,游
非挥发性铁电随机存储器是铁电薄膜的主要应用之一。但是当前这方面的主要候选材料都存在着一定的不足。近来，掺镧的钛酸铅薄膜(PLT(x)，x为镧的摩尔百分比)以其良好的性能引起了研究者的注意，人们设想用它来代替钛酸锆铅在这方面的应用。此外，弛豫现象一直是铁电领域的一个重要课题。然而，对于钛酸镧铅的弛豫型相变的研究大多集中在体材料上，关于其薄膜在这方面的报道尚不多见。 本文采用脉冲激光沉积法，通过
土壤是人类立身之本,没有土壤,人类的生存将难以得到保障.但是近年来,随着经济结构的转变,城市结构的转型,大批工业企业搬离城市,由于原有的粗狂的生产方式,导致场地土壤不同