【摘 要】
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ZnO是一种直接带隙的宽禁带半导体材料，室温下禁带宽度为3.37eV，且束缚激子能高达60 meV。氧化锌透明导电膜在可见光区较高的透过率，而在红外区又具有很高的反射率，同时掺杂适量的施主元素可以明显降低它的电阻率，这些特性使得氧化锌薄膜在光电子信息材料、压电材料、和薄膜太阳能电池等领域的应用日趋广泛。近年来氧化锌透明导电膜的这些特性吸引人们竞相对透明导电膜的制备技术和薄膜的结构和性能进行研究，发
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ZnO是一种直接带隙的宽禁带半导体材料，室温下禁带宽度为3.37eV，且束缚激子能高达60 meV。氧化锌透明导电膜在可见光区较高的透过率，而在红外区又具有很高的反射率，同时掺杂适量的施主元素可以明显降低它的电阻率，这些特性使得氧化锌薄膜在光电子信息材料、压电材料、和薄膜太阳能电池等领域的应用日趋广泛。近年来氧化锌透明导电膜的这些特性吸引人们竞相对透明导电膜的制备技术和薄膜的结构和性能进行研究，发展起多种氧化物透明导电膜的制备技术，主要有蒸发法、溅射法、CVD法和喷涂热解法等。本文采用射
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