【摘 要】
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近年来,由于人们对于光纤通信业务量的需求不断提高,高增益、低损耗光纤的研制问题变得尤为关键。半导体量子点具备独特的量子效应,与其他学科的交叉成为一种研究趋势,可以广
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近年来,由于人们对于光纤通信业务量的需求不断提高,高增益、低损耗光纤的研制问题变得尤为关键。半导体量子点具备独特的量子效应,与其他学科的交叉成为一种研究趋势,可以广泛地应用到光学、生物、化学、医学等众多领域。本文将光纤与量子点相结合,开展对双壳型CdSe/CdS/ZnS量子点光纤各方面性能的讨论和分析。主要研究内容如下：第一章对于半导体量子点、光纤放大器等方面的知识进行介绍。第二章对量子点发光跃迁过程中所涉及的理论知识给予相应的说明。第三章首先提出制备CdSe和CdSe/CdS/ZnS量子点的方法,并对上述两种材料进行物理表征,发现随着生长时间的增长两种量子点均会发生红移现象,包裹之后的纳米材料与包裹之前相比较也同样出现红移；然后对双壳型量子点核层内和壳层内的Cd2+参量进行讨论和分析,得出最佳的实验数值。第四章首先说明了实验室制备双壳型量子点光纤的方法；然后在不同的浓度和长度下对光纤的光谱进行研究；最后,利用COMSOL multiphysics软件对双壳型量子点光纤进行理论模拟,结果表明其具有放大作用。利用实验对单壳型CdSe/ZnS和双壳型CdSe/CdS/ZnS量子点光纤的信号放大作用进行讨论,结果表明,双壳型量子点光纤电压信号值的平均增加幅度为18.43mV,而单壳型量子点为6.28mV,前者的信号放大效果明显优于后者,从而提供了一种新型的半导体掺杂纳米材料。
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