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【摘 要】
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该文主要研究Si(111)衬底上GaN MOCVD生长及特性.针对目前Si(111)衬底生长GaN的几个主要问题进行深入研究,主要包括以下内容:1.研究高温AlN最佳生长条件,包括抑制Si衬底表面S
【机 构】
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中国科学院半导体研究所
【出 处】
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中国科学院半导体研究所
【发表日期】
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2003年期
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