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Ⅱ-Ⅵ族的ZnS材料在室温时的禁带宽度为3.7eV，是一种在光电子器件应用领域具有很大开发潜力的宽禁带半导体材料，对其纳米结构的研究尤为引人注目。目前对ZnS纳米结构的研究主要集中在合成、微结构控制和表征以及光学特性方面，而对于其电输运和器件应用方面的研究还很少。造成这种情况的主要原因在于，纳米材料的高比表面积使得ZnS材料具有高表面态，这使得它的欧姆接触的获得非常困难。现有器件研究仅限于场效应晶体管等简单结构的器件，像肖特基势垒二极管等重要的器件原型还没有涉及。 本文中我们采用化学气相沉积法合成了Cl掺杂n型ZnS纳米带。ZnS薄膜研究显示Cl元素为优质的n型掺杂元素，掺杂效率高，引入缺陷少。基于单根ZnS纳米带场效应晶体管的检测显示合成的ZnS∶ C1纳米带n型电输运特点明显，掺杂后的电子迁移率和浓度分别为64.9cm2V-2s-1和5.7×1017cm-3。ZnS纳米带的欧姆电极采用激光脉冲沉积方法结合铜掩膜板遮蔽的方法制备。而铜掩膜板是利用光刻工艺和刻蚀技术制备，它的使用可以成功地将精确的电极形状转移到沉积基底上，同时可以避免光刻胶对纳米材料表面的污染。在此基础上，我们构建了基于ZnS∶Cl纳米带与金(Au)异质结的肖特基二极管。该二极管表现出良好的的整流特性（整流比大于103），肖特基势垒高度约为0.64eV，理想因子在320K时为1.05。并且肖特基势垒二极管在365nm紫外光照射下，在正偏压时表现出负光响应而在负偏压下表现出正的光响应，我们利用能带理论对这种现象进行了解释。通过计算得到负偏压时器件的增益和响应度分别为9.1 AW-1和33，开关比达180，与同类型光电探测器相比，性能优异。