论文部分内容阅读
该文利用形式散射理论的格林函数方法及紧束缚最近邻sp<3>s<*>和spd模型计算了两种在应用方面具有一些优异特性的反常弛豫的半导体材料Ⅲ族氮化物BN和Ⅰ-Ⅶ族化合物CuCl(110)表面的电子结构.分别给出了理想表面和弛豫表面的投影带结构及电子层态密度.比较详细地讨论了弛豫前后电子态的特征.结果表明有(1)BN(110)表面的电子结构与大多数Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体(110)表面的电子结构定性上是类似的.但硌表面态的能级位置、色散特性和轨道特性等方面上均存在较大的差别.其中一个显著的区别是:弛豫后带隙中阴阳离子悬挂键对应的表面态虽然分别向下和向上移动,但仍部分处在带隙中.这与帝适的"弛豫赶走了禁带隙内的表面态"的结论不一致.(2)CuCl(110)表面弛豫后电子态的变化是Cu的d态电子和Cl的p态电子的重机关报杂化起了主要作用.表面弛豫是p-p、p-d杂化的共同作用,而大多数Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体(110)表面的弛豫是p-p杂化起主要作用.