【摘 要】
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本文对铜掺杂氧化物自旋半导体的性能进行了研究。在ZnO中掺杂不同浓度的Cu,物质表现出不同的磁性，此种性质可用于自旋电子学器件。为达到运用的目的，可使用简单的湿化学方法合
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本文对铜掺杂氧化物自旋半导体的性能进行了研究。在ZnO中掺杂不同浓度的Cu,物质表现出不同的磁性，此种性质可用于自旋电子学器件。为达到运用的目的，可使用简单的湿化学方法合成Cu:ZnO样品。掺杂浓度变化梯度为0％到10%。合成过程中，以醋酸锌水合物和醋酸铜水合物作为前体。采用多种表征技术，如x射线衍射、紫外-可见吸收光谱、ATR-FTIR和VSM方法，对制备样品进行分析。通过XRD的结构分析，证实所有样本均为六角纤锌矿结构。随着掺杂浓度从0%到8%的增加，观察到的平均晶粒尺寸增大。然而掺杂浓度10%处平均晶粒尺寸突然下降。紫外-可见光光谱中，带隙明显红移有利于Cu、ZnO离子之间的交流互动。衰减全反射傅里叶变换红外光谱(atr-ftir)用作成分分析。VSM的磁场测量表明，除去纯净ZnO， Cu掺杂ZnO样品表现出室温磁性。
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