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太阳能电池是应对当前能源危机和环境问题的主要手段之一。其中,薄膜太阳能电池的理论转化效率可达31%,受到广泛关注,被称为第二代太阳能电池。薄膜太阳能电池主要由吸光层、缓冲层和窗口层构成。Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2族半导体是Ⅰ族(Cu)、Ⅲ族(In)、Ⅵ族(S,Se)等元素组成的化合物半导体,大多数是直接带隙半导体,其带隙值在1.0 eV到1.7 eV之间,与太阳光谱相匹配。因此Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2族半导体是较为理想的光吸收层材料。目前制备薄膜太阳能电池的光吸收层材料主要有两类方法,磁控溅射、共蒸发等真空法,纳米晶墨水、喷