【摘 要】
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碳化硅单晶片是最具有发展前景的半导体材料,广泛应用于微电子,光学,半导体照明,集成电路等。目前发光二极管的发展速度非常迅速,相应的作为衬底材料对碳化硅单晶片表面要求
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碳化硅单晶片是最具有发展前景的半导体材料,广泛应用于微电子,光学,半导体照明,集成电路等。目前发光二极管的发展速度非常迅速,相应的作为衬底材料对碳化硅单晶片表面要求精度更高、质量更好。化学机械抛光是目前能实现全局平面化较为实用的一种方法。研究碳化硅化学机械抛光技术中各因素对研磨去除率和研磨表面质量的影响具有重要的理论指导意义和实际应用价值。本文综合运用正交试验法、单因素试验研究和极差分析的方法,对SiC单晶片进行化学机械抛光试验,介绍和分析抛光液的去除原理,选择并优化抛光液成分含量,以提高研磨膏的材料去除率,改善加工后的表面质量。本文采用化学机械抛光工艺方案,以ZYP300型研磨抛光机为试验平台,对SiC单晶片抛光参数进行研究。试验中选用自行研制的含白刚玉W0.5、W1、W1.5、W2.5、W3.5磨粒的抛光液进行研磨工艺试验,研究了抛光压力、抛光盘盘转速、载物台转速、磨粒粒度、氧化剂含量、分散剂含量、磨料含量等因素对化学机械抛光加工的影响规律。并进行了抛光液配方优化试验,应用正交法得到了抛光效率较高,性能良好的抛光液。
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