【摘 要】
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该文针对严重制约铁电存储器应用发展的疲劳问题,研究了PZT薄膜的疲劳特性,并以探索无疲劳、高介电常数的铁电材料为目标,研究了人工调制结构铁电材料的特性.主要内容包括:用
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该文针对严重制约铁电存储器应用发展的疲劳问题,研究了PZT薄膜的疲劳特性,并以探索无疲劳、高介电常数的铁电材料为目标,研究了人工调制结构铁电材料的特性.主要内容包括:用射频磁控溅射方法成功地制备了铁电存储器的基本存储单元-PZT薄膜电容器(Pt/PZT/Pt/TiO<,2>/SiO<,2>/Si).测量了PZT薄膜电容器的电容和极化特性,重点研究了剩余极化、开关电流、矫顽电压、电容率、介电损耗等随疲劳周期数的变化.首次制备了由铁电四方相和三角相构成的Pb(Zr<,0.20>Ti<,0.80>)O<,3>/Pb(Zr<,0.80>Ti<,0.20>)O<,3>多层薄膜,研究了对称结构和非对称结构两组多层薄膜样品的介电和铁电特性.我们系统的研究了PZT陶瓷的内耗行为,观察到了分别与氧缺位扩散和畴壁运动相关的两个弛豫型内耗峰,准确地计算了它们的激活能和弛豫时间.研究了Zr/Ti比,以及La、Ta、Co等在A位或B位的掺杂对内耗峰,即氧缺位浓度、畴壁动性及相变等的影响.最后,针对SrBi<,2>Nb<,2>O<,9>(SBN)具有抗疲劳特性,但是介电常数和剩余极化强度低,且工艺温度较高的问题,首次研究了金属颗粒Ag加入对其性能和工艺的影响.
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