【摘 要】
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Ⅲ族氮化物半导体具有宽的直接带隙,优异的物理、化学稳定性,高饱和电子漂移速度,高击穿场强和高热导率等优越性能,是发展高频、高温、高功率电子器件的最优选材料.该论文采
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Ⅲ族氮化物半导体具有宽的直接带隙,优异的物理、化学稳定性,高饱和电子漂移速度,高击穿场强和高热导率等优越性能,是发展高频、高温、高功率电子器件的最优选材料.该论文采用MOCVD生长技术制备出高质量的Al<,x>Ga<,1-x>N/GaN调制掺杂异质结构,并在此基础上深入、系统地研究了Al<,x>Ga<,1-x>N/GaN调制掺杂异质结构的磁输运性质,主要结论如下：1.国际上首先观察到Al<,x>Ga<,1-x>N/GaN调制掺杂异质结构舒勃尼科夫-德哈斯（SdH）振荡的双周期现象,揭示了异质界面量子阱双子带占据行为.2.从SdH振荡曲线确定了Al<,x>Ga<,1-x>N/GaN调制掺杂异质结构量子阱中第一子带和第二子带之间的能量间距.3.系统地给出了Al<,x>Ga<,1-x>N/GaN调制掺杂异质结构量子散射性质,指出了量子散射与结构参量的关系.4.研究了Al<,0.22>Ga<,0.78>N/GaN调制掺杂异质结构的带间散射性质.5.用迁移率谱方法确定了分别对应于Al<,0.22>Ga<,0.78>N/GaN调制掺杂异质结构量子阱中第一子带和第二子带的2DEG迁移率.6.观察到Al<,0.22>Ga<,0.78>N/GaN调制掺杂异质结构量子阱中第一子带的自旋分裂现象.7.研究了Al<,0.22>Ga<,0.78>N/GaN调制掺杂异质结构中2DEG的局域化特性.8.在势垒层部分应变弛豫的Al<,0.22>Ga<,0.78>N/GaN调制掺杂异质结构中观察到低磁场区域一种新的磁阻振荡行为.
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