【摘 要】
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Hg1-xMnxTe与红外探测器材料Hg1-xCdxTe在很多方面的性质极为相似，但在某些方面的性能更优越，因而Hg1-xMnxTe是有望替代Hg1-xCdxTe制作红外探测器的一种主要候选材料。制备高质
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Hg1-xMnxTe与红外探测器材料Hg1-xCdxTe在很多方面的性质极为相似，但在某些方面的性能更优越，因而Hg1-xMnxTe是有望替代Hg1-xCdxTe制作红外探测器的一种主要候选材料。制备高质量的Hg1-xMnxTe晶体是材料研究及器件发展的关键。本文采用常规的布里奇曼（Bridgman）法，通过改进和优化生长工艺，获得Hg1-xMnxTe单晶。测试了晶体的光学及电学性能，根据测试结果，仅有部分生长态的晶片可以满足红外探测器的要求，还需对晶体进行后续处理以提高其性能。 Hg1-xMnxTe晶体的电学性能受缺陷的影响很大。晶体的缺陷主要有：原生点缺陷（空位、间隙原子、反位原子和复合体）、扩散缺陷（各种位错、晶界、沉淀相、低熔点相等）以及一些杂质。本文从腐蚀机理出发，仔细考察了蚀坑的形成过程，配制出一种适合于Hg1-xMnxTe晶体的腐蚀剂。这种腐蚀剂能显示不同晶面上的多种缺陷，如位错、晶界、富Te相等。 本文研究了晶片的腐蚀过程，观察随腐蚀程度的逐渐加深，晶片表面缺陷蚀坑形貌的变化。实验发现：晶界和沉淀相蚀坑的出现要先于位错蚀坑。并测得生长态的Hg1-xMnxTe晶体其位错蚀坑密度基本在106cm-2左右。 为改善晶体的电学性质，本文通过优化退火工艺，对Hg1-xMnxTe晶片进行了低温Hg气氛下的退火。利用霍尔测试设备测量了晶体退火前后的电学性能。生长态的Hg1-xMnxTe晶体大部分为P型半导体。通过退火，成功的将晶体的导电类型反型为N型，其电学参数有大幅度的提高。
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