【摘 要】
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本文首先利用蒙特卡罗光子-电子耦合输运程序模拟计算了Au-Si界面的剂量增强,所得剂量增强系数DEF(Dose Enhancement Factor)与国外文献作了比较分析,说明蒙特卡罗耦合输运程
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本文首先利用蒙特卡罗光子-电子耦合输运程序模拟计算了Au-Si界面的剂量增强,所得剂量增强系数DEF(Dose Enhancement Factor)与国外文献作了比较分析,说明蒙特卡罗耦合输运程序的模拟计算方法用于半导体-金属界面剂量增强效应的研究是可靠的。并利用该程序计算了X射线辐照“封装材料/金属化层-Si”结构时半导体-金属界面下的剂量分布和剂量增强,得到在不同封装材料和金属化层的情况下X射线对界面剂量增强效应的影响。通过蒙特卡罗模拟计算,本论文给出了X射线在Au/Au-Si,Au/Schottky-Si, Au/Al-Si, Kovar/Au-Si, Kovar/Schottky-Si, Kovar/Al-Si,Ceramic/Au-Si, Ceramic/Schottky-Si和Ceramic/Al-Si结构半导体-金属界面下产生的剂量和剂量增强系数,以及在半导体-金属界面引起明显剂量增强的X射线能量范围。
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