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在集成电路制造中,提升良率有着重要意义。湿法工艺在集成电路制造中占有巨大的比重,典型的半导体工艺每片晶圆都须经过超过100道湿法工艺,控制湿法工艺本身带来的产品缺陷,对提高产品良率有着巨大的贡献。相对于其他类型的缺陷,如晶圆表面颗粒物(Particle),有机沾污物(Organic Contamination),静电所造成的缺陷很难通过再处理(Re-process)来消除或减少。静电引起的缺陷首先在干法刻蚀(Dry Etch)中研究,静电放电会破坏晶圆表面的薄膜(Film)及金属线路,并增加晶圆表面的污染物(Contamination)。其不仅会造成一些可以观察到的缺陷(如加工形态的破坏),也会影响一些薄膜的介电性能,从而影响器件的稳定性--如TDDB (Time-Dependent Dielectric Breakdown)。本文通过优化湿法处理设备内部的微环境及湿法工艺步骤,同时选用特殊的晶圆传送及夹持材料,可以有效减少在湿法工艺中静电所造引发的缺陷。单片(Single Wafer)湿法工艺是集成电路制造重要的组成部分。本文通过电子扫描及静电分析等方式进行观测测试晶圆表面在不同条件下缺陷及电荷分布状况,分析该类缺陷的特点成因,根据该类缺陷提出具体的单片晶圆清洗的工艺及设备优化方案,以有效减少在湿法工艺中由静电引发的缺陷,从而改善湿法处理过程中的缺陷率,进而提高集成电路加工的整体良率。本文根据静电积累及消除的模型,及相关案例的分析,具体提出了优化的腔体去静电效率的测试方法,及目前离子发生器的优化方案；具体提出了对高导电率化学品处理带电晶圆放电引起的缺陷的控制方法；改善现有的湿法处理工艺流程,实现不同湿法制程的定制化处理；提出针对晶圆表面静电的闭环控制方案及APC(automatically process control)在晶圆表面电荷控制中的应用。