【摘 要】
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半导体微腔物理的研究是当前国际前沿的热门研究课题之一.该文主要研究了不同的微腔结构和在不同的外加电场下微腔的特性,主要问题和结果如下:1、利用半经典的线性色散模型,
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半导体微腔物理的研究是当前国际前沿的热门研究课题之一.该文主要研究了不同的微腔结构和在不同的外加电场下微腔的特性,主要问题和结果如下:1、利用半经典的线性色散模型,研究了含有耦合双量子阱的微腔的透射谱.通过调节吸收系数的大小和微腔的谐振频率的位置,证明了由于耦合的激子态与微腔光场的强耦合,在微腔的透射谱上形成了三个很高的劈裂峰.同时还研究了在这种情况极化激元的色散关系,进一步证明了所得的微腔透射谱的正确性.2、研究了在电场下含有耦合双量子阱微腔的透射谱和激子极化激元的色散关系,证明了由于电场具有调谐微腔中激子和光场的耦合强度的作用,在电场下的耦合双量子阱微腔的透射谱具有更加复杂的特性,特别是观察到了空间间接激子跃迁的Rabi分裂的双峰.该文的结果将进一步为深入研究微腔中激子的玻色-爱因斯坦凝聚打下了基础.
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