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随着集成电路集成度的不断提高，晶体管的速度要求越来越快。器件关键尺寸不断缩小，导致互连延迟已大于集成电路器件开关的延迟成为影响整个器件速度的主要因素。为了降低互连延时，金属互连经历了巨大变革。在0.13um以下的工艺中，铜大马士革结构镶嵌工艺和低电介质的广泛应用，大大降低了传输延时，同时也减少钨栓的使用。但由于铜扩散问题在连接器件时没法解决，所以钨接触孔作为第一层金属与器件的连接仍作为主流工艺被使用，而且其性能对整个布线系统显得尤为重要。本文以脉冲成核气相化学方式制作钨为题展开研究，介绍了脉冲成核气相化学方式钨薄膜生产工艺过程，相关腔体原理，及薄膜分析评价方法，通过比较数据揭示了相关工艺参数对钨薄膜成长的特性影响，进而组织一系列的实验，从成核步骤、bulk钨生长、电学特性等方面论述低电阻率钨的工艺特性。实验结果证明，改进后的脉冲成核钨工艺，能明显降低钨的电阻率，从原工艺生产钨的电阻率14-15uΩ cm下降到10uΩ cm及以下，并在电性测试中得到验证，能满足未来先进的制程。