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随着信息时代科学技术的飞速发展，对于信息的传输、处理及存储能力提出了更高的要求。稀磁半导体兼具电子的自旋与电荷的双重属性，对于制备自旋光电器件具有重要的意义。新型稀磁半导体是在铁基超导体的基础上，采用电荷与自旋分别注入的方式，实现了电荷与自旋的独立调控。近年来，随着对铁基超导体的研究深入，发现和制备了几类重要的新型稀磁半导体，主要有―111‖相，―122‖相以及―1111‖相等。 本文基于密度泛函理论的第一性原理计算，采用 Material Studio 软件中的CASTEP 模块对(La1-xBax)(Ag1-yMny)SO 体系的多组样品分别进行建模、计算电子结构和光学性质（包括吸收系数，反射系数和介电常数等）。并着重分析讨论了其光学性质变化。另外实验上制备了 (La1-xBax)(Ag0.925Mn0.075)SO （x=0,0.025,0.05,0.075）体系，并进行结构、低温电阻、磁化曲线及 PL测量，初步说明当 Ba掺杂量为 0.075时，可能为新型稀磁半导体。具体如下： 1.首先对于未掺杂的 LaAgSO 母体进行第一性原理计算，通过与已有的实验参数和文献报道结果比较，说明了计算方法的可靠性。光学性质计算显示：纯相的 LaAgSO材料的反射率和吸收系数都存在非常明显的峰值，分别处于65nm以及150nm，母体静态介电常数为 6.5。 2. 对 于 双 位 等 量 掺 杂 的 (La0.75Ba0.25)(Ag0.75Mn0.25)SO 和(La0.875Ba0.125)(Ag0.875Mn0.125)SO 体系， Ba 离子掺杂 La 离子位引入电荷， Mn离子掺杂 Ag离子位引入自旋，分别构建 2×1×1和 2×2×1晶胞，找出掺杂后的最优化结构，据此考虑自旋后计算体系的能带结构和态密度，进而计算并分析了光学性质。结果显示：La0.75Ba0.25Ag0.75Mn0.25SO 反射峰位于67nm（约6%）和 150nm（约 95%）,吸收峰位于 67nm（1.1×105/cm）和 175nm （ 2.25×105/cm ） , 静 态 介 电 常 数 为 5.8 ； 对(La0.875Ba0.125)(Ag0.875Mn0.125)SO体系，反射峰位于 70nm（约 2%）和 175 nm（约85%），吸收峰位于 70nm（4×104/cm）和 180nm（1.6×105/cm）,静态介电常数为 4.6。比较发现，掺杂后反射和吸收峰位置都发生―红移‖。 3. 通 过 比 较 LaAgSO 、 (La0.75Ba0.25)(Ag0.75Mn0.25)SO 和(La0.875Ba0.125)(Ag0.875Mn0.125)SO反射系数，吸收系数和介电常数发现：即无论是三者的反射系数、吸收系数，还是静态介电常数，不掺杂的母体最高，反而共掺杂量为 0.125 时最低，掺杂量为 0.25 时居中，原因可能是La位掺 Ba和 Ag位掺 Mn对光学性质的影响是相反的。考虑到新型稀磁半导体中双位掺杂是动态互相影响的，即只掺 Ba或只掺 Mn 都不形成铁磁相，只有电荷和自旋二者同时掺杂，且掺杂到一定程度时才会形成新型稀磁半导体。我们又设计并计算了另两个体系的光学性质：(La0.75Ba0.25)(Ag0.875Mn0.125)SO和(La0.875Ba0.125)(Ag0.75Mn0.25)SO。 计 算 结 果 为 ： 在 Mn2+ 掺 杂 量 都 为 0.25 时 ， 比 较(La0.875Ba0.125)(Ag0.75Mn0.25)SO和(La0.75Ba0.25)(Ag0.75Mn0.25)SO，发现 Ba2+离子掺杂量增加（从 0.125到 0.25）会大幅拉高吸收系数峰值；而在 Ba2+离子掺杂量都为 0.125 时，比较(La0.875Ba0.125)(Ag0.75Mn0.25)SO 和(La0.875Ba0.125)(Ag0.875Mn0.125)SO ，发现此时随着 Mn2+离子增加（从 0.125到0.25），吸收峰值明显减小。这也进一步说明对于光学性质，新型稀磁半导体双位掺杂也是动态互相影响、互相制约的。 4.实 验 上 利 用 固 相 反 应 法 制 备 了 (La1-xBax)(Ag0.925Mn0.075)SO （x=0,0.025,0.05,0.075）体系，样品在 XRD 精度范围内为纯相。低温电阻测量说明其均为半导体，磁化曲线和磁滞回线测量结果表明(La0.925Ba0.075)(Ag0.925Mn0.075)SO 确为稀磁半导体，且居里转变温度约为140K。PL 谱表明在固定 Mn 含量为 0.075， 随 Ba 掺杂量增加，峰型半高宽增加，强度降低。