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EBIT装置，即电子束离子阱(electron beam ion trop)，是近年来国际上新发展的一种离子束实验装置，可以产生几乎静止的高电荷态离子。它是研究原子物理、等离子体物理等学科的一种新的重要工具，对基础学科研究及战略高技术研究都有重要意义。目前，国际上共有八台低温EBIT装置，上海EBIT装置是我国首台主要依靠国内力量研制的低温超导EBIT装置。
本课题的主要工作是对上海EBIT装置的离子注入引出系统进行调试及改进，实现离子的正常注入。主要工作有以下几部分组成：MEVVA源的调试及改进，离子注入引出的时序控制，以及离子注入实验。
MEVVA源的调试及改进：通过实验研究MEVVA源的几何参数和电源参数对离子源性能的影响，并在此基础上根据EBIT的离子注入要求确定了MEVVA源的几何参数和电源参数。对MEVVA源在调试过程中出现的不能正常触发的问题进行了分析，并通过对MEVVA源的结构进行改进，解决了MEVVA源的触发问题。
离子注入引出的时序控制：分析了上海EBIT离子注入引出的过程，根据离子注入引出时序的特点和精度要求，采用了凌华科技的PCI-7300数据卡，并在Visual C++环境下对其进行软件编程，实现离子注入引出时序。
离子注入实验：通过离子注入实验，寻找离子注入引出系统的最佳注入参数，得出离子注入系统的注入效率，证明离子注入引出系统的可行性。