基于65nm体硅CMOS工艺的SRAM单元抗辐照加固研究

• 作 者: 贾余勇
• 出 处: 安徽大学
• 发表日期: 2004年期
• 关键词: 静态随机存储器 单粒子效应 抗辐照加固 单粒子翻转 电荷共享效应

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