【摘 要】
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该文采用分子动力学方法,模拟了用离化团簇方法在Si(111)和Si(100)补底上沉积Al膜的物理过程,着重分析了Al团簇在不同能量和补底温度的条件下,在基底表面的运动和扩散特性;沉
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该文采用分子动力学方法,模拟了用离化团簇方法在Si(111)和Si(100)补底上沉积Al膜的物理过程,着重分析了Al团簇在不同能量和补底温度的条件下,在基底表面的运动和扩散特性;沉积的微观运动行为,沉积薄膜的结构及薄膜界面的结构特点,以及退火,衬底温度和团簇能量对沉积薄膜的影响.模拟结果发现:不论是在哪种补底上沉积,团簇的迁移主要集中在沉积的初始阶段,即沉积的前1.5ps.沉积后期原子的运动主要来源于表面热运动.团簇的迁移距离受补底温度和团簇能量的影响,团簇能量越高,扩散距离越大,而衬底温度则在473K附近对迁移距离的影响最大,高于或低于这个温度,都不能达到最佳的扩散效果.退火模拟表明:退火可以进一步改善沉积薄膜的结构,消除内应力,缺陷和空位,对于在Si(100)面上沉积的薄膜,还可以使部分晶粒长大,较显著地改善薄膜结构.
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