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FeRAM器件利用了铁电材料剩余极化双稳态的特点,与传统的EEPROM和FLASH挥发性存储器相比,非挥发性铁电存储器(FeRAM)具有抗辐射、低功耗、快速读写操作、低操作电压等优异特性,从而更适合嵌入式应用的要求。铁酸铋BiFeO3(BFO)是一种新型的多铁电性的铁电材料,BiFeO3同时具有长程电有序和磁有序,铁电和铁磁共存的性质对研制新型的存储器意义重大。本论文对BiFeO3铁电薄膜材料进行了深入的研究。本文用固相反应法制备了Bi2O3过量10%的的BiFeO3陶瓷靶材,通过差热分析