电子回旋共振反应离子刻蚀多晶硅、二氧化硅的研究

来源 :武汉化工学院 武汉工程大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:a4936543
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干法刻蚀技术有许多优异的性能,具有广阔的工业应用前景.本论文对各种刻蚀方法的优缺点,以及几种常见的等离子体源进行了较详细的论述,同时使用微波电子回旋共振等离子体反应离子刻蚀(ECR-RIE)装置对poly-Si、SiO<,2>的刻蚀工艺进行了比较细致的研究:(1)详细研究了改变等离子体参数对poly-Si、SiO<,2>刻蚀特性的影响,并对刻蚀机理进行了探讨;(2)研究了改变等离子体成分,即掺入其它气体对poly-Si、SiO<,2>刻蚀速率和各向异性的影响;研究结果表明合理的添加气体可保持较高的刻蚀速率和较好的各向异性两方面同时得到满足.
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