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塑封填充过程中芯片翘曲变形的控制是保障电子芯片品质的技术关键,准确预测和精确控制芯片的热流固耦合翘曲变形对于电子芯片品质控制显得尤为重要。而准确预测和精确控制芯片热流固耦合翘曲变形的理论前提是建立熔体与芯片表面的热流固耦合作用的理论模型,并揭示其热流固耦合变形形成机理,明晰热流固耦合变形关键调控参数。为此本文研究建立了成型过程中熔体与芯片表面的热流固耦合作用效应和耦合变形的有限元数值模拟虚拟研究平台,模拟研究了熔体与芯片表面的热流固耦合作用效应和耦合变形与流变性能参数、成型工艺参数和芯片布置的关联理论,揭示了热流固耦合变形形成机理,明晰了其关键调控参数,为成型过程热流固耦合变形的控形技术研发奠定了理论基础和技术支撑。研究取得如下主要成果:研究建立了准确预测成型过程中熔体与芯片表面的热流固耦合作用效应和和耦合变形的有限元数值模拟虚拟研究平台。通过研究建立的有限元数值模拟虚拟研究平台,模拟建立了耦合变形与流变性能参数、成型工艺参数和芯片布置的关联理论,揭示了其影响机理,并明晰了耦合变形的关键调控参数。芯片的热流固耦合变形随着熔体注射速度、熔体黏度和流变指数增加而增大,而随着注射温度和芯片间距增大而减小,降低熔体注射速度、熔体黏度和流变指数,或增大注射温度和芯片间距,有利于减小芯片热流固耦合变形。提出了芯片热流固耦合变形受控于成型过程中熔体与芯片表面的热流固耦合作用效应诱发的冲击压力场和不均匀温度场,热流固耦合变形主要由流固耦合压力场诱发的翘曲变形和不均匀温度场诱发的热变形组成,且热流固耦合作用效应诱发的冲击压力场正比于相邻流道不平衡流动诱发的熔体流长差、熔体流动速度和熔体黏度,而反比于芯片间距的热流固耦合变形形成机理理论。