【摘 要】
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该文针对双带PBG晶体中四能级双V类型原子的自发辐射谱做了理论研究.具体内容如下:1.针对四能级双V模型,提出了两个上能级向两个下能级跃迁时,同光带隙边缘模式及真空场模相
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该文针对双带PBG晶体中四能级双V类型原子的自发辐射谱做了理论研究.具体内容如下:1.针对四能级双V模型,提出了两个上能级向两个下能级跃迁时,同光带隙边缘模式及真空场模相互作用,产生量子相干的理论模型,并给出了理论推导.2.针对耦合到真空场模情况,给出了自发辐射谱随禁带宽度、上能级与禁带边缘间距、耦合常量及系统初始相干叠加态变化的情况.3.讨论了该模型下原子自发辐射中的两种量子相干及对谱线的影响.上述理论研究给出了非马尔科夫热库环境下,自发辐射场荧光谱的理论计算和处理,是分析和改进实际应用中对自发辐射有较高要求的系统,如半导体激光器等的基础,在高精度测量、无所转激光、量子计算和量子信息理论中有潜在的应用.同时也是验证光子晶体中光带隙的存在和分析和研究其特性的重要工具,为进一步的理论分析及实验具有指导意义.
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