【摘 要】
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本文选取具有介电常数较高、热稳定性优良、与SiO2具有相似能带结构等优异综合性质的Al2O3作为研究对象，利用射频反应溅射的方法，制备了非晶Al2O3薄膜及Y(钇)掺杂Al2O3薄膜，通
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本文选取具有介电常数较高、热稳定性优良、与SiO2具有相似能带结构等优异综合性质的Al2O3作为研究对象，利用射频反应溅射的方法，制备了非晶Al2O3薄膜及Y(钇)掺杂Al2O3薄膜，通过多种测试手段，测量了薄膜的结构、形貌等性质，并重点研究了其电学特性。实验发现，Al2O3薄膜对制备条件有较大的依赖性，适当温度的氮气退火能够改善薄膜的C-V、I-V等电学特性；对Al2O3进行Y掺杂表明，Y的掺入能够在不影响其它性质的前提下，有效地提高了其介电常数，并且Y掺杂Al2O3薄膜表现出优异的电学特性。
本文研究以Al2O3为基础的高k栅介质材料，而且笔者较早的利用射频溅射法对Al2O3进行Y元素掺杂尝试，得到了质量好、电学性质优异的Y掺杂Al2O3薄膜，并分析了其极化机理，这些方面具有创新性。
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