SOI MOS晶体管的可靠性研究

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【摘要】

：

2000年,美国加州大学伯克利分校的胡正明教授团队提出了FDSOI晶体管结构,与1999年该团队提出的鳍型栅晶体管(Fin FET)晶体管概念,一并被认为是能够克服晶体管特征尺寸缩小时,栅电极对器件沟道控制减弱,是CMOS工艺能够在纳米级节点下继续缩小的可行选项。2006年,欧洲半导体科研机构与企业在实验室研制28 nm工艺节点的全耗尽绝缘体上硅(Fully Depleted Semiconduc

【作者】

：

黄鸿阳

【发表日期】

：

2021年01期

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