【摘 要】
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金属有机物化学气相淀积（MOCVD）技术是当前研制和生产先进化合物半导体材料的最主要技术。本文结合 GaN 材料生长 MOCVD 系统的研制，设计了相应的计算机控制系统。该系统采用两
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金属有机物化学气相淀积（MOCVD）技术是当前研制和生产先进化合物半导体材料的最主要技术。本文结合 GaN 材料生长 MOCVD 系统的研制，设计了相应的计算机控制系统。该系统采用两级分布式控制结构，应用一台工控机进行系统的监控管理和数据处理，利用智能仪表等完成生产现场的过程控制，选取数据采集控制板卡联结工业控制计算机与智能仪表等控制部件，以此实现材料生长过程的全自动控制。软件开发中采用模块化设计方法，将系统划分为若干功能模块；监控界面采用图形用户界面，友好美观，便于操作。为了确保系统所需的高可靠性，在硬软件两方面都采取了一些严格的抗干扰措施。根据系统测试的情况来看，本控制系统操作简便，控制精度高，运行稳定可靠，结果令人满意。
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