单片T/R组件关键电路设计

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相控阵雷达可完成多种雷达功能,具有稳定跟踪多批高速运动目标的能力,在单部雷达发射机功率的限制下,也能获得相对大的辐射功率,为加大雷达作用距离、提高雷达测量精度和有效对抗各种杂波及低可观测目标提供了技术上的潜力,因此成为当今雷达发展的重要方向。随着半导体工艺的不断发展,有源相控阵雷达向单片方向发展。移相器作为控制输入与输出信号相位改变的元件,是相控阵雷达不可缺少的一大关键部件。移相器的性能好坏可以直接作为相控阵雷达T/R组件设计是否成功的一个衡量标准。低噪声放大器作为接受通道的第一级,其增益和噪声很大程度上决定了整个T/R组件的噪声性能,是T/R组件中的关键模块。本论文中,介绍了相控阵雷达的优势以及国内外研究现状,T/R组件在相控阵雷达中的作用及其主要原理,分析了常用的移相器结构和技术参数,低噪声放大器的常用结构和性能指标。采用TSMC0.35BiCMOS工艺,设计了五位数字移相器电路和两级低噪声放大器电路。五位数字移相器采用高低通网络合并全通网络的结构。其中,180°单元使用高低通网络,以实现大相位相移。90°、45°、22.5°单元采用改进的全通网络,减少了使用元件的数量,降低芯片面积,便于实现单片集成。两级低噪声放大器电路采用共源共栅结构设计了,一个两级的3GHz窄带低噪声放大器。仿真结果显示:S11在3GHz小于-22dB,S22小于-10dB,噪声系数在2.5dB以下,增益大于40dB。
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