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氧化锌（ZnO）作为II-VI族的直接宽带隙氧化物半导体，其激子束缚能（约为60meV）高于其它半导体材料，室温条件下禁带宽度为3.37eV，具有较高的热稳定性、透射度，较大的电导率范围，同时还具有一定的生物相容性。目前，ZnO材料广泛应用于各种纳米器件制备之中。例如ZnO纳米场效应晶体管，ZnO纳米发光二极管，ZnO纳米发电机，ZnO光电二极管和ZnO化学传感器。材料的结构对器件性能有着重要的影响，因此研究ZnO纳米材料的可控生长对于制备ZnO纳米器件的应用起到了至关重要的作用。本论文利用低温水热法（CBD），在Si和GaAs衬底上制备了ZnO纳米结构。研究了不同的生长参数对ZnO纳米结构的影响，同时开发出ZnO纳米结构的可控生长技术。具体内容如下：一、利用低温CBD技术，在Si和GaAs衬底上制备出ZnO结构，实验中通过调节反应溶液的浓度和生长时间，制备出了具有不同形貌的ZnO纳米结构。通过扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）和X射线衍射（XRD）技术测试ZnO纳米结构的形貌和结晶性质。实验表明，在Si衬底上形成规则排布的ZnO纳米阵列，而GaAs衬底上制得网状纳米墙。通过分析Si和GaAs衬底上不同生长时间的ZnO纳米结构，提出了不同衬底上的ZnO纳米结构的生长机制。二、利用低温CBD技术，在Si衬底上制备具有不同生长取向和尺寸的一维ZnO纳米线。研究了ZnO籽晶层的厚度对一维ZnO纳米线生长取向和尺寸的影响。SEM结果表明，随着籽晶层厚度的增加，ZnO纳米线的密度逐渐增加，ZnO纳米线的生长取向逐渐从平行于衬底方向转变为直至垂直于衬底表面方向。然而，随着籽晶层厚度的增加，纳米线的直径逐渐减小，同时，ZnO纳米线长度变短。通过调节籽晶层的厚度，可以使得ZnO纳米线的直径、长度变化一个数量级。通过原子力显微镜测试，分析了籽晶层的厚度对于制备具有不同生长取向和尺寸的一维ZnO纳米线的物理机制。