【摘 要】
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本文的主要工作是制备高质量的NbN/AlN/NbNSIS结，为研制高灵敏度超导接收机作准备。主要工作包括： 一.在MgO衬底上，衬底不加热的情况下，利用直流和射频磁控溅射的方法制备了Nb
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本文的主要工作是制备高质量的NbN/AlN/NbNSIS结，为研制高灵敏度超导接收机作准备。主要工作包括：
一.在MgO衬底上，衬底不加热的情况下，利用直流和射频磁控溅射的方法制备了NbN/AlN/NbN三层异质薄膜。由透射电子显微分析证明：三层异质薄膜具有清晰整洁的界面，上下层NbN薄膜是具有单一(001)取向的优质单晶薄膜。NbN薄膜的超导临界转变温度Tc达15K以上，△T＜1K。
二.在上述研究基础上，成功制备了不同超导临界电流密度的NbN/AlN/NbNSIS隧道结。
三.对制备的SIS结进行了电学性能表征，获得了从5kA--30kA/cm2不同临界电流密度的SIS隧道结，能隙电压4.8～5.4meV。加微波辐照后，一些结观察到多个Shapiro台阶。一些结外加磁场后，也看到了Fisker台阶。
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