【摘 要】
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目前广泛应用的磁性材料主要是金属和绝缘体，半导体材料多呈现非铁磁特性或只在极低温下呈现铁磁性。由于传统磁性材料和半导体材料之间的晶体结构、化学键合和物理性质差异较
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目前广泛应用的磁性材料主要是金属和绝缘体，半导体材料多呈现非铁磁特性或只在极低温下呈现铁磁性。由于传统磁性材料和半导体材料之间的晶体结构、化学键合和物理性质差异较大，通常从铁磁金属将自旋注入到半导体材料的效率很低，因此，人们通过将少量的磁性元素(主要是过渡金属元素)掺入到非磁性半导体的材料中，形成既具有铁磁性又具有半导体特性的稀磁半导体(Diluted Magnetic Semiconductors)。稀磁半导体兼有信息处理、转换和传输的功能。该类材料以其优异的磁、磁光和磁电性能在高密度非易失性存储器、磁感应器、光隔离器、半导体集成电路、半导体激光器和自旋量子计算机等领域具有诱人的应用前景，受到世界各国的广泛关注。
本文利用燃烧合成法，制备稀磁半导体Zn1-xMnxO(0≤x≤0.25)的纳米颗粒。采用XRD确认生成物为Mn掺杂的ZnO。应用JADE分析，随Mn掺杂量变大，X射线衍射峰半高宽变大，极值减小，并且衍射峰向低角度偏移。应用TOPAS分析，由于Mn离子取代了Zn离子，从而引起了晶格常数的变化。从VSM测得稀磁半导体Zn1-xMnxO的磁性，样品具有顺磁性。对样品分别进行空气下退火，氮气下退火处理，重复上述分析，系统研究了晶体结构、磁性和制备条件的关系。
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