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太阳能光伏技术是人类在21世纪必须掌握的核心技术之一，当今世界环境、经济和能源问题突出，而太阳能的应用是解决能源与环境问题的有效途径，如今，光伏发电技术和太阳能产业的发展蒸蒸日上，但同时还存在一些须待解决的严重问题。太阳能光伏发电组件，分为晶体硅太阳能电池组件和薄膜太阳能电池组件用两类。薄膜太阳能电池使用只有几微米厚的半导体材料,相对于晶硅电池，太阳能薄膜电池理论转换率更高，也更为环保，而且它们的应用更广泛，衬底更灵活，可以应用于太阳能屋顶的屋面材料和双电力发电机。所以，在太阳能电池发展方面，人们在重点研究和发展各种薄膜太阳能电池，侧重研究具有不同光谱响应和不同禁带宽度的复合材料，以制成多结薄膜电池，来进一步提高电池的转换效率和降低成本。CdTe薄膜太阳能电池具有高的理论转换高效率，制作成本低，它的禁带宽度在1.45ev左右，能与太阳光谱很好地匹配，是一种理想的吸收层材料。目前，在这一领域领先的产业机构是一家叫作FirstSolar（第一太阳能）的公司，它使用碲化镉作为薄膜材料。本文主要对射频磁控溅射法制备CdO/CdTe薄膜电池进行研究，利用X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见光谱仪、扫描电子显微镜(SEM)、HG-500多波段光源、吉时利6487型皮安表和I-V测试系统等测试手段研究不同制备工艺对电池性能的影响，给出了研究CdTe薄膜电池的一些实例，分析了提高电池效率的方法。实验结果表明，溅射功率和工作压强是影响CdTe薄膜性能的关键因素，适当地增加磁射功率和降低工作压强可以提高薄膜的结晶性能和光学特性，升高衬底温度可以提高CdTe薄膜的性能，提高薄膜电池效率。对CdTe薄膜进行少量的Cu掺杂能明显改善薄膜的电学性能，提高电池的电流密度，但过量的掺杂会破坏晶格，Cu掺杂对薄膜的禁带宽度影响很小。采用射频磁控溅射法制备CdO薄膜，Ar/O2比是影响CdO薄膜性能是主要因素，Ar/O2比大电学性能好，Ar/O2比小光透过率高，适当增加Ar/O2比可以改善电池的短波响应，提高电池的短流密度。