【摘 要】
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近年来，随着经济的快速发展，能源短缺现象日益严重。而传统光源对电源的利用率不高，很大一部分电能都转化为热能浪费掉了。LED照明技术的出现和成熟，很好地缓解了这一问题，其高效
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近年来，随着经济的快速发展，能源短缺现象日益严重。而传统光源对电源的利用率不高，很大一部分电能都转化为热能浪费掉了。LED照明技术的出现和成熟，很好地缓解了这一问题，其高效率、低污染的优点，使得其很适合作为下一代照明技术。但目前市面上的LED驱动芯片，鲜有耐高压的型号。
本文将SOI(Silicon-on-Insulator)技术应用到LED驱动的设计中，设计了一款基于SOI工艺的高压LED驱动芯片。设计时首先提出了该驱动的系统框图，介绍其工作原理，再对各内部模块进行了详细的介绍。该LED驱动输入电压范围为40V至625V，采用峰值电流模式控制，并提供线性与PWM(Pulse Width Modulation)两种调光方式，根据不同应用，外接的LED灯可达十几至上百个不等。设计采用X-FAB1μm高压SOI BCD工艺，可同时集成Bipolar、CMOS和DMOS器件。其内部可集成漏源耐压达650V，栅端耐压为20V的N型LDMOS，为实现超高压设计提供了可能。此外，工艺还提供耐压5V、7V和20V的CMOS管，设计时可以根据需要灵活应用。最后，对该设计进行了仿真与测试验证。仿真与测试结果表明，该LED驱动具有良好的性能。由于目前市面上还鲜有将高压SOI技术应用的电源管理中的芯片，因此该设计开创了这一领域的先河，既为SOI工艺开辟了新市场，又为LED驱动芯片扩大了应用范围。
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