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本文介绍了横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(Lateral Double-diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,LDMOS)的基本结构,对其耐压特性、导通特性、优点和应用进行了简要分析。并对业界用以改善漂移区的终端技术进行了较为详细的归纳和总结,重点对降低表面电场(Reduced SURface Field,RESURF)机理、超结技术和槽型结构的引入做了详细介绍。接下来从结构角度出发,通过对器件的重新设计,研究了三种新型二维类超结LDMOS结构。采用MEDICI(二维器件仿真软件)对所提出的器件进行仿真研究和参数优化调整,从而在提升器件击穿电压的同时降低比导通电阻。槽栅型二维类超结LDMOS:将纵向交替掺杂的P/N柱应用于槽栅型LDMOS中,并将漏极重掺杂N+区纵向延伸至与N型柱区相接。器件处于反向耐压状态时,P柱区和N柱区分别处于低电位状态和高电位状态,从而使得漂移区更好耗尽。基于功率半导体物理知识和仿真结果,对该结构导通时的I-V特性和关断状态下的耐高压能力进行了分析。最终得出500V的击穿电压,较普通结构得到了32.6%的优化,并且比导通电阻降低了62.5%。槽栅型阶梯掺杂P柱区二维类超结LDMOS:在常规结构的基础上,从漂移区掺杂浓度方面进行优化,将横向变掺杂技术引入到P柱区的设计中,从源端至漏端掺杂浓度逐渐变低。一方面,在两个结P1/P2和P2/P3的界面处引入了新的电场峰值对漂移区电场进行优化;另一方面,这样的柱区掺杂方式对衬底辅助耗尽效应(Substrate Assisted Depletion Effect,SAD)所带来的电荷不平衡问题起到了有效的缓解作用。最终将击穿电压调整至814V,并且得到的比导通电阻为0.19Ω·cm2。槽型二维类超结LDMOS:在常规结构的基础上,从漂移区形状方面进行优化,在漂移区中引入槽。一方面,引入的槽对漂移区进行了折叠,使得其实际长度较横向尺寸大;另一方面,槽内填充的介质介电常数比较小,耐压性能较硅高;再者,同等耐压级别下器件的漂移区可以做的更短,因而比导通电阻减小。在漂移区长度35μm时,得到了与阶梯掺杂P柱区结构在50μm漂移区下的同等耐压水平。