【摘 要】
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为分析IC多层版图扫描电镜(SEM)对准检测时所利用的负带电成像原理,在Mott弹性散射截面和修正的Bethe非弹性碰撞公式的条件下,利用Monte-Carlo方法摸拟了点照射入射电子在绝
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为分析IC多层版图扫描电镜(SEM)对准检测时所利用的负带电成像原理,在Mott弹性散射截面和修正的Bethe非弹性碰撞公式的条件下,利用Monte-Carlo方法摸拟了点照射入射电子在绝缘膜中的散射过程,同时描述了二次电子的产生及运动过程.根据二次电子出射所产生的空穴和停留在绝缘膜内部的电子的空间分布,得到负带电绝缘物表面的局部电位分布.在此基础上,通过数值方法算了二次电子从表面出射后在局部场作用下的运动轨迹,分析了初始条件对二次电子返回表面特性的影响,得到了SEM图像信号电源随表面电位的变化规律.计算得到的SEM图像信号电流与表面电位关系与实验中的图像亮度动态特征一致.结果表明,绝缘膜负带电引起的表面电场会吸引二次电子返回表面;随着电子束扫描时间的增加,绝缘膜下方的对准标记形成的二次电子信号强度下降,形成负带电衬度.
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