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各国的学者都运用掺杂这种方法来研究材料新的结构和性能。自掺杂的非化学计量比的硒化银和碲化银材料产生了非常大的奇特的线性磁电阻效应( LMR),即电阻率随着磁场的增加而发生线性变化。这种线性变化在较宽的温度范围(1K300K-)和超宽的磁场范围(1mT～55T)都存在。这种奇异的线性磁电阻效应因其潜在巨大应用价值已引起了研究者的广泛关注,本文通过铜掺杂探索对Ag Sed+的结构和性能影响。 本文通过对五种实验方案的研究,探索利用化学沉降法制备铜掺杂Ag Sed+的可行性以及它的工艺。实验中对五种方案所得产物进行表征分析,结果表明只有第五种方案比较合适。分析表明:在利用化学沉降制备粉末样品的过程中,原料的反应时间和原料加入的顺序是非常重要的工艺参数,反应时间为10h左右比较合适;原料加入的顺序会影响所得产物,分阶段加入原料时杂质能够掺杂进去;在固相合成过程中,预烧结、烧结的最高温度和在最高温度点下的保温时间是重要的工艺参数,实验发现只有在300℃左右对粉末样品进行预烧结,并且烧结温度在450℃-500℃的范围内都可以烧结出比较致密的硒化银晶体。在烧结过程中通入氩气或者氮气作为保护气体。 本文通过改变化学反应中硒、铜以及银的相对含量,利用化学沉降法得到含不同铜掺杂量的过量银的硒化银纳米颗粒,然后通过固相合成法制备出块状晶体。采用XRD、XRF和FSEM对制备的硒化银进行表征,结果表明,在固相烧结过程,当降温为自然降温, XRD的图谱和标准的硒化银一致,而当快速降到室温的情况下,所有的特征峰都出现了,但最强峰的位置发生了偏移。FSEM测试结果表明,样品结晶良好,样品中存在空洞,样品微观区域出现了纵向生长趋势。 在本文的最后,对铜掺杂过量银硒化银晶体的物理性能进行了研究。结果表明,硒化银晶体为n型半导体,其禁带宽度约1.25～1.30eV,为窄禁带半导体。