【摘 要】
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ZnO是一种在光电功能领域很有潜力的第三代宽禁带半导体材料,ZnO基一维纳米结构材料和ZnO掺杂纳米结构近年成为人们研究的热点,相比于体材料以及薄膜二维材料,一维结构纳米材
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ZnO是一种在光电功能领域很有潜力的第三代宽禁带半导体材料,ZnO基一维纳米结构材料和ZnO掺杂纳米结构近年成为人们研究的热点,相比于体材料以及薄膜二维材料,一维结构纳米材料能够提供更为优良的光学性能以及晶体结构。通过对ZnO进行Mg元素掺杂来获得禁带可调的ZnO纳米材料,可以进一步制备响应波段可调的紫外光电器件,使得其在更广泛的领域内得到应用。本文首先采用化学气相沉积法(CVD),水热学法制备直立的ZnO纳米线阵列,通过对样品表征,综合分析讨论了CVD法中气-固(V-S)机制下ZnO纳米线的晶体生长动力学过程。同样利用CVD方法引入Mg源对ZnO进行Mg掺杂,获得Mg掺杂ZnO纳米线阵列。利用水热法和原子层沉积法(ALD)制备出ZnO/ZnMgO核壳结构纳米线阵列,并利用这种核壳结构纳米线阵列制备出ZnO/ZnMgO核壳结构光导型紫外探测器,在364-378nm处得到良好的窄波响应。最后,利用水浴法制备出大面积自支撑可自由迁移的Ag掺杂ZnO纳米线阵列并研究其发光机制。
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