【摘 要】
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该文首次在异质衬底金刚石薄膜生长机理的理论研究中提出引入晶格应变微扰修正的物理思想,并首次在分子轨道理论中建立了晶格应变微扰修正的理论处理方法,针对半经验分子轨道
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该文首次在异质衬底金刚石薄膜生长机理的理论研究中提出引入晶格应变微扰修正的物理思想,并首次在分子轨道理论中建立了晶格应变微扰修正的理论处理方法,针对半经验分子轨道计算程序包MOPAC3.0编制了晶格应变微扰修正的计算程序STRAIN+SPHF.运用引入晶格应变微扰修正的AM1半经验分子轨道方法,首次详细计算了在硅(100)和(111)衬底表面上气相氢原子和甲基提取表面吸附H原子的反应过程;首次详细计算了Si(100)和(111)表面上甲基和乙炔的吸附过程及生长金刚石薄膜的吸附反应过程;首次详细计算了Si(110)表面上气相H原子提取表面吸附H原子的过程和CH<,3>的吸附过程.根据计算结果,首次提出了以CH<,3>和C<,2>H<,2>作为气相生长成分在Si(100)和(111)表面上金刚石薄膜的生长机理,并首次初步分析了以CH<,3>和C<,2>H<,2>为气相生长成分在Si(110)表面上金刚石薄膜生长的可能效果.
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