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本文对射频磁控溅射法(RF-magneton sputtering)制备的ZnO薄膜进行了结构与光电性质的研究。测试分析了不同制备参数对ZnO薄膜的表面形貌和晶体结构特性的影响，探讨了薄膜生长的机理，优化选择薄膜制备的参数。
通过大量实验，调整不同参数发现200℃，60W，氩氧比1：3条件下，薄膜的取向性与结晶性都较其他条件下更为优异。比较了不同衬底上薄膜的生长，发现有机柔性衬底上薄膜的生长表现出与无机硬质基底上不同的特性。详细探讨了薄膜生长的各个过程，在实验上再现薄膜生长的不同阶段的图像，并采用基于MC方法的计算机模拟生成薄膜在不同条件下的生长情况，发现计算机模拟在定性上能很好地符合磁控溅射获得的ZnO薄膜的生长过程。从而为简化优质工艺参数的选择流程，缩短功能薄膜材料的实验开发时间，提供有效的技术手段和理论指导。
本文还测试分析了磁控溅射生长ZnO薄膜的光电性质，以及通过热处理改善薄膜功能性的部分探索，旨在通过更简单优异的方法开发ZnO薄膜在光电领域的应用前景。