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近些年以来,二维层状纳米材料因其具有独特的光电性能引起了科研界的广泛关注,并且在光电领域有着不俗的应用。二硫化钼(molybdenum disulfide,Mo S2)属于过渡金属硫化物(TMDs),也是典型的二维层状纳米材料之一,由于其独特的物理化学性质,较高的迁移率以及可调控的带隙,使得其在光电器件,如晶体管、传感器、电存储等领域有着不俗的潜在应用。随着二硫化钼纳米材料与有机材料结合所展现出来的新的性质与应用,越来越多的人开始研究二硫化钼与其他材料结合的可行性。因此制备基于二硫化钼纳米复合材料及其在光电领域的应用逐渐掀起了新的研究热潮。综上所述,本文以单层二硫化钼纳米片为主要研究的对象,首先对其进行多次离心再分散,通过液相转移法来将二硫化钼转移至我们想要的溶剂中。在这样的条件下,重点研究了二硫化钼—6,6-苯基-C61-丁酸甲酯(MoS2-PC61BM)纳米复合材料,二硫化钼—金纳米粒子(MoS2-Au NPS)复合材料在电存储器上的应用,并通过改善相关条件对器件进行优化从而提高了电致储器的性能。本论文主要涵盖以下三个方面:第一,本文主要采用经锂离子插层法对二硫化钼进行剥离,并通过提纯得到水相单层二硫化钼,然后通过液相转移的方法,经过多次离心再分散将二硫化钼从水溶剂中转移到其它有机溶剂中,同时通过原子力显微镜(AFM),透射电子显微镜(TEM)等对其进行分散性比较。在此基础上,着重研究了基于单层MoS2-PC61BM纳米复合材料并进行了测试表征。第二,本文主要以选取了上述复合材料(MoS2-PC61BM)作为电存储器件的活性层,制备出基于单层二硫化钼纳米复合材料的非易失性(Flash)型存储器件,为了改善性能,后续做出了一系列比较实验。通过调节掺杂比,实现器件类型之间的转变并展现了良好的器件性能,并研究活性层的厚度对器件的影响。最后结合前面对复合材料的表征和对实验数据的拟合分析,提出了一个可行的存储机理。第三,本文直接采用了MoS2-Au NPS纳米复合材料作为电存储器件的活性层,这就避免了之前的分散性问题以及溶剂效应问题,同时在对浓度调节上也更加方便。通过制备基于MoS2-Au NPS纳米复合材料的电存储器件,发现其存在一次写入多次读取(Worm)的特性。为了进一步研究,后面做了两个比较关键条件的对比,从而得出了一定规律,最后基于这些规律提出了一个可能的存储机理。