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ZnO是一种重要的Ⅱ-Ⅵ型半导体材料,室温下的禁带宽度约为3.37eV,它本身特有的结构使其作为光催化剂具有很多优点。影响ZnO光催化性能的因素有很多,本文中我们首先考查了ZnO生长过程中,前驱体中阴离子对其形貌和性能的影响,并初步探讨了阴离子对ZnO生长习性的作用过程。在光照反应时,光生电子和空穴的不能有效分离是影响其光催化性能的重要因素,而贵金属负载在ZnO上是解决这一问题的常用方法。因此,本文采用己合成AgNPs修饰ZnO制备Ag/ZnO复合物,促使光生电子和空穴的有效分离。通过XRD、SEM、TEM、 XPS、PL等表征技术对样品进行研究,以降解罗丹明B考查其光催化性能。希望本文的研究内容能够对ZnO的其他研究和实际应用提供一些帮助。1.我们分别选用Zn(NO3)2-6H2O、Zn(CH3COO)2?2H2O?ZnCl2作为锌源,以C6H12N4作为沉淀剂,采用水热法制备出三种不同的ZnO,以罗丹明B作为目标降解物进行光催化性能测试。实验结果表明,在相同的制备条件下,以Zn(NO3)2?6H2O作为锌源制备的ZnO的光催化性能最好。此外,还进一步考察了混合锌源中阴离子对ZnO形貌和光催化性能的影响。2.以经典的柠檬酸钠还原法合成了粒径约为43nm的AgNPs,在水热条件下分别以不同量的AgNPs负载在ZnO上制备出一系列的Ag/ZnO复合物,并进行了光催化性能研究,探讨了Ag的含量对Ag/ZnO复合物光催化性能影响的机理。结果发现当银的负载量达到1.05wt.%时,可以促进光生电子和空穴的有效分离,1.05wt.%Ag/ZnO复合物的光催化性能最佳。3.研究不同粒径的AgNPs负载在ZnO对所合成的Ag/ZnO复合物光催化性能的影响。不但采用银种子生长法合成不同粒径的Ag@Ag NPs,而且还用金种子生长法合成不同粒径的Au@Ag NPS。将上述纳米粒子负载在ZnO上制备出Ag(Au)@Ag/ZnO复合物,进而考查其光催化性能。结果表明金属粒子的粒径对M/ZnO复合物光催化性能的影响作用不大,而银含量才是影响复合物光催化效率的重要因素。